大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不(bù)予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的(de)运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品(暧昧期一般多久，暧昧期一般多久可以在一起了pǐn)网络安全问题(tí)危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)安全，是(shì)维护(hù)国家安全(quán)的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好暧昧期一般多久，暧昧期一般多久可以在一起了拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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